近几月来三星Note5/S6 Edge+、魅族MX5、红米Note2、一加2、华为荣耀7等一大波新机的相继发布，高通、三星、联发科、海思四家芯片厂商在2015年的年度旗舰产品也一同面市，它们分别是“发烧不退”的骁龙810、成功“逆袭成为高富帅”的三星Exynos 7420、重返高端市场的联发科Helio X10（MT6795）以及相对低调的海思麒麟935。 虽然高通一直对外宣称高通骁龙810不存在发热问题，但是众多厂商的降温措施掩盖不了发热的本质，但即使这样，它仍是高通的当家“真旗舰”（骁龙808笑而不语）。而同时，高通的老对手近几年出了闷声发大财外也在试图摆脱山寨低端的形象，分别与HTC和魅族合作推出了M9+和MX5，而近日的红米Note2的低价却再次将联发科打入谷底（队友太坑，着实无奈）。今天楼主就任性地为大家带来这四款市售主流SoC芯片的详细介绍以及横向对比，我们一起来近距离感受下各家的真“芯”旗舰。
1、高通骁龙810：由于自主研发的Kryo架构延期，高通在骁龙810上直接采用了ARM的公版架构。具体来看，骁龙810搭载4个2.0GHz主频的Cortex-A57核心和4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心；GPU则采用了高通自家的Adreno 430；集成双核SIP，最高可支持5500万像素的摄像头；基带芯片最高可提供LTE CAT6的4G全网通能力；内存控制器可支持双通道LPDDR4（1600MHz），有效带宽25.6GBps，基于20NM工艺制造。  至于高通骁龙810发热的原因，现在看来应该是20nm无法控制A57的发热，但在高通骁龙810量产前也只有三星和intel拥有1xNM工艺。  2、三星Exynos7420：跳过了20NM工艺，直接豪赌14NM FinFET工艺的三星终于得到了回报。搭载自家Exynos 7420的Galaxy S6、S6 Edge不仅成功避开了骁龙810延期的影响提前上市，而且对于改善三星创新乏力的形象作用显著，实际性能也让发烧的810甘拜下风。  从具体架构上来说，Exynos 7420采用4个2.1GHz主频的Cortex-A57核心和4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心组成异步大小核架构，GPU部分则采用了八核的Mali-T760 MP8，主频为772MHz，基于14NM FinFET工艺制造，基带芯片能达到LTE CAT6级别，内存控制器可支持双通道LPDDR4（1552MHz），有效内存带宽24.8GBps。  3、联发科Helio X10（MT6795）:联发科MT6795依然基于28NM工艺打造，技术上无法搞定相比A53性能提升56%，但功耗同时高出256%的Cortex-A57架构。因此，联发科选择了同时搭载8个Cortex-A53核心，标准版MT6795主频为2.0GHz，高主频版本MT6795T主频则提升到2.2GHz，而且是8核全部可以超频到这一主频。  Helio X10GPU依然沿用MT6595上的Power VR G6200，内存控制器支持双通道LPDDR3 933MHz内存，基带芯片速率为LTE CAT4级别，双2000万像素ISP，有效内存带宽为14.9GBps，参数相对上面两位略显平庸。  4、海思麒麟930/935：和联发科一样，麒麟930、935也是基于28NM工艺打造，与MT6795不同的是，海思采用4个高主频的A53e核心（930为2.0GHz，935为2.2GHz）和4个1.5GHz低主频的A53核心组成异步八核架构，GPU部分为“祖传”Mali T628 MP4。LTE基带芯片速率达到LTE CAT 6级别，支持海思独家的TAS智能天线调节技术。联发科和海思都选择跳过目前的Cortex-A57，等待台积电的16NM工艺，基于A72架构的麒麟950已经在路上了。 
看过上面的解析后，SoC芯片究竟如何还是要拉出来实测一把才能知晓。像目前顶级的骁龙810这种级别的旗舰处理器，即使不做优化，日常使用也绝对不会感到明显的卡顿现象。基准跑分测试，早已不再是衡量一款手机流畅与否的标尺，至少不能直接将跑分高与流畅好用划上等号。厂商针对性的优化以及跑分软件自身的因素，也使得跑分本身的说服力大不如前。  但对于本次市售主流SoC芯片对比实测来说，相同的测试工具无疑为我们提供了一个统一的标准。 测试方法 1、CPU、GPU测试选用的软件分别为跨平台权威测试软件GeekBench 3.0以及GFXBench 3.0.32，对于国产手机厂商常用的安兔兔，我们也进行了相应测试。 2、持续工作下的稳定性测试，我们使用了更接近日常使用环境测试的StabilityTest（测试项：CLASSIC STABILITY TEST）进行压力测试。 3、另外，我们也安排了28分钟的GFXBench电池压力测试，通过连续运行30次高水平的霸王龙场景测试，查看其性能的变动情况，并记录这个过程中的最高温度。该测试更加接近大家日常玩大型3D游戏时的状态。
 联发科MT6795以及麒麟935均采用了高主频A53核心，单线程方面，麒麟935凭借高出的200MHz主频略微胜过MT6795，应该与MT6796T性能一致。 多线程运算方面，联发科MT6795凭借八个A53核心全部超频的鸡血状态，甚至跑过了三星Exynos 7420，高主频优势明显。而骁龙810在这个过程中，四个A57核心仅仅坚持了几秒钟便相继退出，仅仅依靠四个A53外加偶尔觉醒下的A57勉强支撑，跑分与麒麟935比较趋近。
 三星Exynos 7420的表现令人印象十分深刻，八核高主频Mali-T760的表现甚至超过了骁龙810引以为豪的Adreno 430。但是，三星S6以及S6 Edge今年都采用了2K分辨率屏幕，增加的像素需要额外耗费一定的资源进行渲染。在实际2K分辨率测试情况下，Exynos 7420 GPU性能下降大约在33％左右。  联发科和海思的GPU分别与前代魅族MX4上的MT6595以及Mate7上的麒麟925基本一致，联发科的PowerVR G6200实际性能稍好些，麒麟935的GPU由于是祖传，所以......
 在大多数情况下，厂商一般只会公布安兔兔总体跑分情况，在未经过特别优化的情况下，它更多的是反应一款手机的整体状况，其中还包括了存储性能、内存芯片性能等的测试，作为对单纯SoC的衡量，我们还是需要对比看下其中的具体分项测试数据。单纯用总分来描述SoC并不准确。
▲在长达30分钟的高强度霸王龙场景测试中，骁龙810的整体性能表现逐步下滑，过程比较平滑，骁龙810的GPU稳定性表现不错，在1080P分辨率状况下，整个过程中运行十分流畅，完全没有卡顿情况。整个过程中的实测最高温度为47.9摄氏度。  ▲Exynos 7420在初步的下滑后，在接近20分钟的时间里一直保持惊人的稳定性，再使用了高主频八核Mali-T760的情况下，还能做到这种水平，14NM FinFET的工艺作用的确显著。在实际测试过程中，2K分辨率下的游戏画面也非常流畅，性能绝对够用。整个过程中的实测最高温度为47.3摄氏度。  ▲海思935由于祖传GPU，在28分钟的测试过程中，整体表现出台阶式的性能滑坡。在实际测试过程中，海思935的测试画面也是四者中最卡的，整体画面较为拖沓，后期可见比较明显的卡顿，体验较差。整个过程中的实测最高温度为37.5摄氏度。  ▲和前面的日常压力下CPU测试一样，联发科MT6795整体波动较大，八核随着时间的延长依次关闭，对性能影响显著。在实际测试过程中，一开始的测试画面整体比较流畅，到测试末期则出现了比较明显的掉帧和拖沓现象。整个过程中的实测最高温度为43.1摄氏度。 
通过上面的全面解析以及多个场景下的测试，我们可以发现在如今的64位架构ARM Cortex-A5X时代，三星凭借着14NM FinFET工艺的巨大优势，充分的释放了A57的高性能优势，GPU部分也大幅补强，这对于今年三星S6、S6 Edge形象提升作用巨大，同时也能够吸引到苹果、高通等大客户的关注。 而骁龙810经过厂商们的持续优化，A57带来的过热问题被抑制在合理的范围内，当然CPU性能上难免会有所打折。强大的GPU普遍与1080P屏幕搭配，则充分体现了它在GPU方面的巨大优势，可以说作为一名游戏以及大型应用爱好者，骁龙810仍然是你的不二选择。深受过热问题困扰的高通，已经将未来全部押宝在下一代自主架构上。 联发科与海思这两款芯片由于受制于工艺技术采取了相对保守的八个A53核心架构的，至少不会让二者在64位大时代被抛下。两者也只能算是两家的过渡产品。近日，联发科已经发布了拥有十核心架构的Helio X20，而华为基于台积电16NM工艺的麒麟950也在最近泄露了跑分图。相信，16年的手机CPU大战已然拉开序幕，孰强孰弱，16年见分晓！ |
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